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简介：
分光器是一种无源器件，它们不需要外部能量，只要有输入光即可。光线进入分光器后，把普通光线按波长可分为以下三种类：近紫外线（near UV）： 200-380nm
真空紫外线(vacuumUV〈VUV〉 ： 10-200nm 极紫外线、极端紫外线(Extreme UV〈EUV〉）：1-10nm 从人类健康和环保角度，还可分为UVA（３１５～４００nm)、UVB（２８０～３１５nm)、UVC（280nm以下）。
分光器由入射和出射狭缝、反射镜和色散元件组成，其作用是将所需要的共振吸收线分离出来。分光器的关键部件是色散元件，现在商品仪器都是使用光栅。原子吸收光谱仪对分光器的分辨率要求不高，曾以能分辨开镍三线Ni230.003、Ni231.603、Ni231.096nm为标准，后采用Mn279.5和279.8nm代替Ni三线来检定分辨率。光栅放置在原子化器之后，以阻止来自原子化器内的所有不需要的辐射进入检测器。
光通信时代的分光器是组建EPON网络的一个组件，是一个连接OLT和ONU的无源设备，它的功能是分发下行数据，并集中上行数据。分光器带有一个上行光接口，若干下行光接口。从上行光接口过来的光信号被分配到所有的下行光接口传输出去，从下行光接口过来的光信号被分配到唯一的上行光接口传输出去。只是光信号从上行光接口转到下行光接口的时候，光信号强度/光功率将下降，从下行光接口转到上行光接口的时候，同样如此。各个下行光接口出来的光信号强度可以相同，也可以不同。
每个光纤都有2根接头 这就有了0.2db的衰减然后一侧光纤与另一根光纤通过连接器连接衰减就为4x0.1+1x0.4=0.8db 的损耗了,一般发端的光功率很高滴 有时候因为到终端这边功率高的还有误码
epon在物理层采用了PON技术，在链路层使用以太网协议，利用PON的拓扑结构实现了以太网的接入。在光网络中，其实就是epon波分复用，实现点到多点的结构，自然就需要分光器了。
epon技术中分光器的合理损耗是什么算的?
比如说我OLT的pon口出来测的光功率是3,经过一个1分4的分光器之后4个口出来的光功率拿中兴设备来举例：C200/C220光功率也就是OLT：接收：-6~-27db发送：+2~+7ONU终端：接收光功率：-8～??-24db，发送光功率：+4～～-1db你说的那属于插损，应该这么算： 分光器插损：1分2大约3db，每增加一倍增加3db法兰引入插损：0.5db/个熔接头引入插损：0.1db/个光纤衰减：下行1490nm光纤衰减系数0.36db/km上行1310nm光纤衰减系数0.42db/km 分光器分光后到OUN有没有距离的限制？最近单位在调试安装EPON设备，想从OLT安装分光器进行分光，请问下此种情况分光器分光后到OUN有没有距离上的限制？如果有的话是多少？
有距离的限制。按照你说的情况是在机房OLT侧进行集中分光，分光后的传输距离，取决于OLT PON口的发射功率和接收灵敏度，ONU的接收灵敏度和发射功率，选用的光分路器的分光比和损耗，还与选用的光缆，熔接点，适配器等有关。通常EPON系统在进行1×32分光后，能够传输20Km，但实际上很多厂商的ONU可能仅支持10Km。总之，由ODN的光功率预算决
定，所以还是要具体情况具体分析。
